<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>
首頁(yè)  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì )展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> sk 海力士

【電動(dòng)車(chē)和能效亮點(diǎn)】Sakuu和SK On合作推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)的電池制造

  • Source: Zhihao/via Getty Images總部位于美國加州硅谷的Sakuu是一家專(zhuān)注于為電池制造行業(yè)提供商業(yè)化設備和技術(shù)的公司,該公司日前已與韓國電動(dòng)汽車(chē)電池供應商SK On簽訂了一份聯(lián)合開(kāi)發(fā)協(xié)議。此次合作彰顯了兩家公司通過(guò)推動(dòng)電池制造創(chuàng )新以解決當前行業(yè)挑戰的堅定承諾,并為下一代解決方案的發(fā)展奠定了堅實(shí)基礎。作為此次合作的一部分,兩家企業(yè)將攜手推進(jìn)Sakuu干法制造工藝平臺Kavian的工業(yè)化進(jìn)程。Sakuu干法制造工藝平臺Kavian有助于電池供應商轉變其業(yè)務(wù)運營(yíng)模式。該公司表示,使
  • 關(guān)鍵字: Sakuu  SK On  電動(dòng)汽車(chē)電池  

SK海力士將在HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合技術(shù)

  • 《科創(chuàng )板日報》17日訊,SK海力士計劃于2026年在其HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合,目前半導體封裝公司Genesem已提供兩臺下一代混合鍵合設備安裝在SK海力士的試驗工廠(chǎng),用于測試混合鍵合工藝?;旌湘I合取消了銅焊盤(pán)之間使用的凸塊和銅柱,并直接鍵合焊盤(pán),這意味著(zhù)芯片制造商可以裝入更多芯片進(jìn)行堆疊,并增加帶寬。
  • 關(guān)鍵字: SK  海力士  HBM  混合鍵合技術(shù)  

英偉達、臺積電和 SK 海力士深化三角聯(lián)盟:HBM4 內存2026年量產(chǎn)

  • 7 月 13 日消息,韓媒 businesskorea 報道,英偉達、臺積電和 SK 海力士將組建“三角聯(lián)盟”,為迎接 AI 時(shí)代共同推進(jìn) HBM4 等下一代技術(shù)。SEMI 計劃今年 9 月 4 日舉辦 SEMICON 活動(dòng)(其影響力可以認為是半導體行業(yè)的 CES 大展),包括臺積電在內的 1000 多家公司將展示最新的半導體設備和技術(shù),促進(jìn)了合作與創(chuàng )新。預計這次會(huì )議的主要焦點(diǎn)是下一代 HBM,特別是革命性的 HBM4 內存,它將開(kāi)啟市場(chǎng)的新紀元。IT之家援引該媒體報道,SK 海力士總裁 Kim Joo-
  • 關(guān)鍵字: 英偉達  臺積電  SK  海力士深  HBM4  內存  

消息稱(chēng)三星電子、SK 海力士分別考慮申請 5/3 萬(wàn)億韓元低息貸款,擴張運營(yíng)

  • IT之家 7 月 1 日消息,據《韓國經(jīng)濟日報》報道,三星電子、SK 海力士分別考慮向韓國產(chǎn)業(yè)銀行申請 5 萬(wàn)億和 3 萬(wàn)億韓元(IT之家備注:當前分別約 263.8 / 158.28 億元人民幣)低息貸款,用于業(yè)務(wù)擴張。韓國產(chǎn)業(yè)銀行由韓國政府全資控股,是韓國唯一的政策性金融機構,主要為韓國國家經(jīng)濟發(fā)展提供長(cháng)期資金。韓國企劃和財政部此前公布了“半導體生態(tài)系統綜合支持計劃”。作為該計劃的一部分,韓國產(chǎn)業(yè)銀行將向半導體企業(yè)發(fā)放 17 萬(wàn)億韓元低息貸款,其中大企業(yè)可獲得 0.8~1% 利率折讓?zhuān)行?/li>
  • 關(guān)鍵字: 三星電子  SK 海力士  

通用 DRAM 內存仍供大于求,消息稱(chēng)三星、SK 海力士相關(guān)產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)工率維持 80~90%

  • IT之家 6 月 19 日消息,韓媒 ETNews 援引業(yè)內人士的話(huà)稱(chēng),韓國兩大存儲巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內存產(chǎn)能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱(chēng),這一情況同主要企業(yè)已實(shí)現生產(chǎn)正?;?NAND 閃存產(chǎn)業(yè)形成鮮明對比:除鎧俠外,三星電子和 SK 海力士也已于本季度實(shí)現 NAND 產(chǎn)線(xiàn)滿(mǎn)負荷運行。報道指出,目前通用 DRAM (IT之家注:即常規 DDR、LPDDR)需求整體萎靡,市場(chǎng)仍呈現供大于求的局面,是下游傳統服務(wù)器、智能手機和 PC 產(chǎn)業(yè)復蘇緩慢導致的
  • 關(guān)鍵字: DRAM  閃存  三星  海力士  

半導體后端工藝|第七篇:晶圓級封裝工藝

  • 在本系列第六篇文章中,我們介紹了傳統封裝的組裝流程。本文將是接下來(lái)的兩篇文章中的第一集,重點(diǎn)介紹半導體封裝的另一種主要方法——晶圓級封裝(WLP)。本文將探討晶圓級封裝的五項基本工藝,包括:光刻(Photolithography)工藝、濺射(Sputtering)工藝、電鍍(Electroplating)工藝、光刻膠去膠(PR Stripping)工藝和金屬刻蝕(Metal Etching)工藝。封裝完整晶圓晶圓級封裝是指晶圓切割前的工藝。晶圓級封裝分為扇入型晶圓級芯片封裝(Fan-In WLCSP)和扇
  • 關(guān)鍵字: 海力士  封裝工藝  

SK 海力士、三星電子:整體 DRAM 生產(chǎn)線(xiàn)已超兩成用于 HBM 內存

  • IT之家 5 月 14 日消息,據韓媒 Hankyung 報道,兩大存儲巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動(dòng)時(shí)表示,整體 DRAM 生產(chǎn)線(xiàn)中已有兩成用于 HBM 內存的生產(chǎn)。相較于通用 DRAM,HBM 內存坐擁更高單價(jià),不過(guò)由于 TSV 工藝良率不佳等原因,對晶圓的消耗量是傳統內存的兩倍乃至三倍。內存企業(yè)唯有提升產(chǎn)線(xiàn)占比才能滿(mǎn)足不斷成長(cháng)的 HBM 需求。正是在這種“產(chǎn)能占用”的背景下,三星電子代表預計,不僅 HBM 內存,通用 DRAM(如標準 DDR5)的價(jià)格年內也不會(huì )
  • 關(guān)鍵字: 海力士  三星  DRAM  

AI硬件核心HBM,需求爆發(fā)增長(cháng)

  • 2022年末,ChatGPT的面世無(wú)疑成為了引領(lǐng)AI浪潮的標志性事件,宣告著(zhù)新一輪科技革命的到來(lái)。從ChatGPT掀起的一片浪花,到無(wú)數大模型席卷全球浪潮,AI的浪潮一浪高過(guò)一浪。       在這波浪潮中,伴隨著(zhù)人才、數據、算力的不斷升級,AI產(chǎn)業(yè)正展現出巨大的潛力和應用前景,并在多個(gè)領(lǐng)域展現出重要作用。AI的快速發(fā)展對算力的需求呈現井噴的態(tài)勢,全球算力規模超高速增長(cháng)。在這場(chǎng)浪潮中,最大的受益者無(wú)疑是英偉達,其憑借在GPU領(lǐng)域的優(yōu)勢脫穎而出,然
  • 關(guān)鍵字: 三星  海力士  美光  HBM  

三大存儲原廠(chǎng)財報出爐!

  • 近期,三大存儲原廠(chǎng)陸續公布財報情況。西部數據:2024財年第三財季營(yíng)收34.57億美元,同比增長(cháng)23%。在Non-GAAP會(huì )計準則下,西部數據凈利潤為2.10億美元,上年同期凈虧損為4.35億美元,成功扭虧為盈。按業(yè)務(wù)劃分,西部數據該季云業(yè)務(wù)營(yíng)收為15.53億美元,同比增長(cháng)29%;客戶(hù)業(yè)務(wù)營(yíng)收為11.74億美元,同比增長(cháng)20%;消費者業(yè)務(wù)營(yíng)收為7.30億美元,同比增長(cháng)17%。按產(chǎn)品來(lái)看,西部數據NAND閃存營(yíng)收達17.05億美元,HDD營(yíng)收17.52億美元。展望下一季度,西部數據預計公司營(yíng)收為36.0億-
  • 關(guān)鍵字: 美光  海力士  西部數據  

SK海力士發(fā)布2024財年第一季度財務(wù)報告

  • ·結合并收入為12.4296萬(wàn)億韓元,營(yíng)業(yè)利潤為2.886萬(wàn)億韓元,凈利潤為1.917萬(wàn)億韓元·第一季度收入創(chuàng )同期歷史新高,營(yíng)業(yè)利潤創(chuàng )同期歷史第二高·由于eSSD銷(xiāo)量增加及價(jià)格上升,NAND閃存成功實(shí)現扭虧為盈·“憑借面向AI的存儲器頂尖競爭力,將持續改善公司業(yè)績(jì)”2024年4月25日,SK海力士發(fā)布截至2024年3月31日的2024財年第一季度財務(wù)報告。公司2024財年第一季度結合并收入為12.4296萬(wàn)億韓元,營(yíng)業(yè)利潤為2.886萬(wàn)億韓元,凈利潤為1.917萬(wàn)億韓元。2024財年第一季度營(yíng)業(yè)利潤率為2
  • 關(guān)鍵字: 海力士  SK  財報  

SK海力士與臺積電攜手加強HBM技術(shù)領(lǐng)導力

  • ·雙方就HBM4研發(fā)和下一代封裝技術(shù)合作簽署諒解備忘錄·通過(guò)采用臺積電的先進(jìn)制程工藝,提升HBM4產(chǎn)品性能·“以構建IC設計廠(chǎng)、晶圓代工廠(chǎng)、存儲器廠(chǎng)三方合作的方式,突破面向AI應用的存儲器性能極限”2024年4月19日,SK海力士宣布,公司就下一代HBM產(chǎn)品生產(chǎn)和加強整合HBM與邏輯層的先進(jìn)封裝技術(shù),將與臺積電公司密切合作,雙方近期簽署了諒解備忘錄(MOU)。公司計劃與臺積電合作開(kāi)發(fā)預計在2026年投產(chǎn)的HBM4,即第六代HBM產(chǎn)品。SK海力士表示:“公司作為AI應用的存儲器領(lǐng)域的領(lǐng)先者,與全球頂級邏輯代
  • 關(guān)鍵字: 海力士  HBM  臺積電  

【電動(dòng)車(chē)和能效亮點(diǎn)】SK On計劃從2026年開(kāi)始量產(chǎn)磷酸鐵鋰電池

  • 據韓聯(lián)社報道,韓國SK創(chuàng )新旗下電池部門(mén)SK On可能會(huì )按照客戶(hù)需求,從2026年開(kāi)始大規模量產(chǎn)磷酸鐵鋰(LFP)電池。SK On首席執行官兼總裁Lee Seok-hee在2024年首爾電池儲能展覽會(huì )上表示:“公司內部已經(jīng)完成了磷酸鐵鋰電池的自主研發(fā),如果我們與客戶(hù)完成協(xié)商,將從2026年開(kāi)始實(shí)現量產(chǎn)?!盠ee Seok-hee預計,通常用于中短續航里程電動(dòng)汽車(chē)的磷酸鐵鋰電池的市場(chǎng)需求將迎來(lái)激增。Source: Getty Images分析觀(guān)點(diǎn)深度解析盡管磷酸鐵鋰電池的能量密度較低,導致電動(dòng)汽車(chē)的續航里程相
  • 關(guān)鍵字: SK On  磷酸鐵鋰電池  

SK海力士超高性能AI存儲器‘HBM3E’,全球首次投入量產(chǎn)并開(kāi)始向客戶(hù)供貨

  • · 繼HBM3,其擴展版HBM3E也率先進(jìn)入量產(chǎn)階段· 研發(fā)完成后僅隔7個(gè)月開(kāi)始向客戶(hù)供貨,期待能實(shí)現最高性能的AI· “將維持用于A(yíng)I的存儲技術(shù)全球領(lǐng)先地位,并鞏固業(yè)務(wù)競爭力”2024年3月19日,SK海力士今日宣布,公司率先成功量產(chǎn)超高性能用于A(yíng)I的存儲器新產(chǎn)品HBM3E*,將在3月末開(kāi)始向客戶(hù)供貨。這是公司去年8月宣布開(kāi)發(fā)完成HBM3E后,僅隔7個(gè)月取得的成果。SK海力士表示,“繼HBM3,公司實(shí)現了全球首次向客戶(hù)供應現有DRAM最高性能的HBM3E。將通過(guò)成功HBM3
  • 關(guān)鍵字: SK  海力士  存儲  AI  

鎧俠愿意為SK海力士生產(chǎn)芯片

  • 要想實(shí)現目標,就得舍得投入。
  • 關(guān)鍵字: 鎧俠  SK 海力士  

1年利潤暴跌84.9%!三星樂(lè )觀(guān) 今年業(yè)績(jì)回暖:存儲漲價(jià)是開(kāi)始

  • 2月1日消息,存儲一哥三星2023年的日子不太好過(guò),全年利潤暴跌84.9%,確實(shí)沒(méi)辦法,不過(guò)他們保持樂(lè )觀(guān)態(tài)度。2023年IT市場(chǎng)整體低迷,尤其是存儲芯片價(jià)格暴跌的背景下,三星全年營(yíng)收為258.94萬(wàn)億韓元,同比減少14.3%;營(yíng)業(yè)利潤為6.57萬(wàn)億韓元,同比下滑84.9%。按照三星的說(shuō)法,2024年上半年業(yè)績(jì)會(huì )回暖,其中以存儲產(chǎn)品價(jià)格回暖最為明顯,相關(guān)SSD等產(chǎn)品漲價(jià)不會(huì )停止,只會(huì )更猛烈。NAND芯片價(jià)格止跌回升后,目前報價(jià)仍與三星、鎧俠、SK海力士、美光等供應商達到損益兩平點(diǎn)有一段差距。國內重量級NAN
  • 關(guān)鍵字: 存儲  三星  鎂光  海力士  NAND  
共303條 1/21 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

sk 海力士介紹

您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條sk 海力士!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對sk 海力士的理解,并與今后在此搜索sk 海力士的朋友們分享。    創(chuàng )建詞條

熱門(mén)主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì )員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
国产精品自在自线亚洲|国产精品无圣光一区二区|国产日产欧洲无码视频|久久久一本精品99久久K精品66|欧美人与动牲交片免费播放
<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>